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描述:產品簡介:SE-Mapping光譜橢偏儀是一款可定制化Mapping繪制化測量光譜橢偏儀,采用行業(yè)前沿創(chuàng)新技術,配置全自動Mapping測量模塊,通過橢偏參數(shù)、透射/反射率等參數(shù)的測量,快速實現(xiàn)薄膜全基片膜厚以及光學參數(shù)自定義繪制化測量表征分析
廠商性質
經銷商更新時間
2024-03-07訪問量
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產品簡介: SE-Mapping 光譜橢偏儀是一款可定制化 Mapping繪制化測量光譜橢偏儀,采用行業(yè)前沿創(chuàng)新技術,配置全自動 Mapping測量模塊,通過橢偏參數(shù)、透射/反射率等參數(shù)的測量,快速實現(xiàn)薄膜全基片膜厚以及光學參數(shù)自定義繪制化測量表征分析。SE-Mapping光譜橢偏儀廣泛應用OLED,LED,光伏,集成電路等工業(yè)應用中,實現(xiàn)大尺寸全基片膜厚、光學常數(shù)以及膜厚分布快速測量與表征。
產品型號 | SE-Mapping 光譜橢偏儀 |
主要特點 | 1、全基片橢偏繪制化測量解決方案
2、支持產品設計以及功能模塊定制化,一鍵繪制測量
3、配置 Mapping 模塊,全基片自定義多點定位測量能力
4、豐富的數(shù)據(jù)庫和幾何結構模型庫,保證強大數(shù)據(jù)分析能力
5、采用氘燈和鹵素燈復合光源,光譜覆蓋紫外到近紅外范圍 (193-2500nm)
6、高精度旋轉補償器調制、 PCRSA 配置, 實現(xiàn)Psi/Delta光譜數(shù)據(jù)高速采集 7、具備全基片自定義多點自動定位測量能力,提供全面膜厚檢測分析報告 |
1、自動化程度:固定角+mapping 2、應用定位:檢測型
3、基本功能: Psi/Delta、N/C/S、R 等光譜
4、分析光譜: 380-1000nm(可擴至 193-2500nm)
5、單次測量時間: 0.5-5s
6、重復性測量精度: 0.01nm
7、光斑大?。?/span> 大光斑 2-3mm,微光斑200um
8、入射角調節(jié)方式:固定角
9、入射角范圍: 65°
10、找焦方式:手動找焦
11、Mapping1 程: 300x300mm
12、支持樣件尺寸: 至 300mm | ||
可選配件 | 3 | 真空泵 |
4 | 透射吸附組件 |