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描述:產(chǎn)品簡(jiǎn)介:4路質(zhì)子混氣管式PECVD系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行
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145產(chǎn)品簡(jiǎn)介: 4 路質(zhì)子混氣管式 PECVD 系統(tǒng)是為了使化學(xué)反應(yīng)能在較低的溫度下進(jìn)行,利用了等離子體的活 性來(lái)促進(jìn)反應(yīng),環(huán)境溫度在 100℃-300℃,但反應(yīng)氣體在輝光放電等離子體中能受激分解、離解和離化,從 而大大提高了反應(yīng)物的活性, 這些具有反應(yīng)活性的中性物質(zhì)很容易被吸附到較次溫度的基本表面上, 發(fā)生 非平衡的化學(xué)反應(yīng)沉積生成薄膜,因此這種 CVD 稱為等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法(PECVD)。
產(chǎn)品型號(hào) | 4 路質(zhì)子混氣管式 PECVD 系統(tǒng) |
安裝條件 | 本設(shè)備要求在海拔 1000m 以下, 溫度 25℃±15℃ ,濕度 55%Rh±10%Rh 下使用。 1、水:不需要 2、電: AC220V 50Hz,必須有良好接地 3、氣:設(shè)備腔室內(nèi)需充注氣體,需自備氣瓶氣源 4、工作臺(tái): 尺寸 1600mm×600mm×700mm ,,承重 150kg 以上 5、通風(fēng)裝置:需要 |
主要特點(diǎn) | 1、內(nèi)爐膛表面涂有美國(guó)進(jìn)口的高溫氧化鋁涂層可以提高設(shè)備的加熱效率,同時(shí)也可以延長(zhǎng)儀 器的使用壽命。 2 、輝光放電等離子體中電子密度可達(dá) 109cm3-1012cm3。 3 、電子氣體溫度比普通氣體分子溫度高出 10-100 倍。 4、配有高精度數(shù)字顯示質(zhì)量流量計(jì),可準(zhǔn)確地控制氣體流量。 |
5、一個(gè)氣體混氣罐的底部安裝了液體釋放閥。 6、不銹鋼針閥安裝在左側(cè)部分,可手動(dòng)控制混合氣體的輸入。 |
7 、已通過(guò) CE 認(rèn)證。 | |
技術(shù)參數(shù) | 管式爐 |
1、電源: AC220V 4KW 2、爐管: ?50mm ,?60mm ,?80mm 都可用 3、溫度控制器: 30 段高精度數(shù)字可編程溫度控制器 4、加熱區(qū): 440mm 5、恒溫區(qū): 150mm | |
等離子射頻電源 1、輸入功率: AC220V 1KW 2、輸出功率: 50W-500W 可調(diào),±1% 3 、RF 頻率: 13.56MHz | |
4、噪聲:≤55DB 5、冷卻:風(fēng)冷 | |
真空泵和質(zhì)量流量計(jì) 1、真空度: 10-3torr 2、波紋管: KF25 系列 3、質(zhì)量流量計(jì): 0-200 ,誤差 0.02%,進(jìn)氣口采用國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)雙卡頭 | |
產(chǎn)品規(guī)格 | 尺寸: 管式爐 550mm×380mm×520mm ,供氣及真空系統(tǒng) 600mm×600mm×1250mm 重量: 120kg |
可選配件 | 防腐型數(shù)字式真空顯示計(jì) |
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